RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
49
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
2,066.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
9.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
2562
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link