RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Comparar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
62
Por volta de -114% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
1,843.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,556.6
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,843.6
15.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
542
3722
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparações de RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link