RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Comparar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Pontuação geral
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Pontuação geral
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
62
Por volta de -121% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
1,843.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,556.6
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,843.6
11.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
542
2648
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparações de RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link