Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB

Pontuação geral
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Pontuação geral
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    27 left arrow 39
    Por volta de 31% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.7 left arrow 13.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    11.8 left arrow 8.5
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 19200
    Por volta de 1.11% maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    27 left arrow 39
  • Velocidade de leitura, GB/s
    16.7 left arrow 13.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    11.8 left arrow 8.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tempos / Velocidade do relógio
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2756 left arrow 2364
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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