RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
39
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
13.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2364
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link