Comparação RAM Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Pontuação geral

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

27 48

Por volta de 44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

11.8 8.3

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

17.5 16.7

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 21300

Por volta de 1.2 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2756 2196

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns