RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
63
Por volta de -97% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
8.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
32
Velocidade de leitura, GB/s
8.1
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1945
2968
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB Comparações de RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link