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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
63
左右 -97% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
32
读取速度,GB/s
8.1
16.1
写入速度,GB/s
7.5
12.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2968
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
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