Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Pontuação geral
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Pontuação geral
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Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    27 left arrow 38
    Por volta de 29% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.7 left arrow 16.5
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    11.8 left arrow 10.9
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 21300
    Por volta de 1.2 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    27 left arrow 38
  • Velocidade de leitura, GB/s
    16.7 left arrow 16.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    11.8 left arrow 10.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2756 left arrow 2829
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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