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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Confronto
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
38
Intorno 29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
16.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
38
Velocità di lettura, GB/s
16.7
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
25600
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2756
2829
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
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