RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Comparar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
74
Por volta de 64% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
74
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
7.9
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2756
1825
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link