RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
74
Autour de 64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
74
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
1825
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link