RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Comparar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
16.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.9
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
15.9
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2756
3594
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link