RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB vs A-DATA Technology 11137401 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology 11137401 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
40
Por volta de 30% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology 11137401 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
14.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
40
Velocidade de leitura, GB/s
14.3
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
11.4
7.3
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2481
1921
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology 11137401 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link