Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB vs A-DATA Technology 11137401 8GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Pontuação geral
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A-DATA Technology 11137401 8GB

A-DATA Technology 11137401 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    28 left arrow 40
    Por volta de 30% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    11.4 left arrow 7.3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    15.1 left arrow 14.3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 17000
    Por volta de 1.13 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    28 left arrow 40
  • Velocidade de leitura, GB/s
    14.3 left arrow 15.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    11.4 left arrow 7.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2481 left arrow 1921
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RAM 1
RAM 2

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