RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB против A-DATA Technology 11137401 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology 11137401 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
40
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.4
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology 11137401 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
14.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
40
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
15.1
Скорость записи, Гб/сек
11.4
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2481
1921
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link