RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
35
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
31
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
12.9
Largura de banda de memória, mbps
17000
21300
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2126
3222
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link