RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB против Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Причины выбрать
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 35
    Около -13% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.1 left arrow 9.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.9 left arrow 7.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 17000
    Около 1.25 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    35 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    9.8 left arrow 17.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.9 left arrow 12.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    17000 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Тайминги / частота
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2126 left arrow 3222

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
модули RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
модули RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
модули RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
модули RAM
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
модули RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
модули RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
модули RAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
модули RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
модули RAM