RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB против Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
35
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
31
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
17.1
Скорость записи, Гб/сек
7.9
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2126
3222
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link