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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Pontuação geral
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
37
Por volta de 5% menor latência
Razões a considerar
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
37
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
11.9
Largura de banda de memória, mbps
17000
21300
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2126
2658
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
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