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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
33
Por volta de 15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2227
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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CAS Latency (CL) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
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