RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En 15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.7
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2227
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link