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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
36
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
9.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
36
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
10.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2407
2657
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Comparações de RAM
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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