RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB против SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.8
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2407
2657
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A3000C12 4GB
Corsair CMY16GX3M4A3000C12 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link