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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
34
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
5.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
28
Velocidade de leitura, GB/s
8.6
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.8
15.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1682
3535
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparações de RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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