RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
34
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
28
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
18.3
Скорость записи, Гб/сек
5.8
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
3535
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link