RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около -50% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
24
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
12.7
Скорость записи, Гб/сек
9.5
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
2256
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link