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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Pontuação geral
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
34
Por volta de -89% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.4
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.5
5.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
18
Velocidade de leitura, GB/s
8.6
21.4
Velocidade de escrita, GB/s
5.8
18.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1682
3625
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
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