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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
34
En -89% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.4
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.5
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
18
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
18.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
3625
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
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