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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
34
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
5.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
25
Velocidade de leitura, GB/s
8.6
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.8
13.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1682
3061
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparações de RAM
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
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