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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
34
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.3
5.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
28
Velocidade de leitura, GB/s
8.6
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.8
17.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1682
3762
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparações de RAM
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB Comparações de RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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