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Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Pontuação geral
Kingston KVR533D2N4 512MB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
75
Por volta de -97% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
1,672.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
4200
Por volta de 5.07 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
38
Velocidade de leitura, GB/s
1,943.5
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,672.1
10.3
Largura de banda de memória, mbps
4200
21300
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
301
2148
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparações de RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Inmos + 256MB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
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