RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
75
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
38
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2148
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link