RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3238
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link