RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3238
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link