RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Pontuação geral
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
34
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
5.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
33
Velocidade de leitura, GB/s
8.6
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
5.8
13.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1682
3141
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link