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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
34
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
33
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
3141
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
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Kingston XW21KG-MIE2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
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