RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Pontuação geral
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
34
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
5.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
32
Velocidade de leitura, GB/s
8.6
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.8
12.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1682
2958
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link