RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
34
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
32
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
17.0
Скорость записи, Гб/сек
5.8
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2958
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link