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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Pontuação geral
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razões a considerar
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
5.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
34
Velocidade de leitura, GB/s
8.6
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.8
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1682
2908
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparações de RAM
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
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