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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Pontuação geral
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razões a considerar
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
34
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
5.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
27
Velocidade de leitura, GB/s
8.6
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.8
13.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1682
3296
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparações de RAM
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Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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