RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
27
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
3296
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link