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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
67
Por volta de 49% menor latência
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
5.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
67
Velocidade de leitura, GB/s
8.6
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.8
9.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1682
1879
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
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