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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
13.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
3337
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
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Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
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