RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
14.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
3456
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston 99U5471-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link