RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
37
Por volta de 24% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
9.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
12.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
9.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
2722
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link