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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
23.1
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.0
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
23.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
19.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
4276
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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