RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
23.1
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.0
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
23.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
19.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
4276
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link