RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
35
Por volta de 20% menor latência
Razões a considerar
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
15.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
3292
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link