RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
28
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
12.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
3018
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link