RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
33
Por volta de 15% menor latência
Razões a considerar
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
11.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
2757
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link