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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
30
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12
8.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
5.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
29
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
8.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
5.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2171
1344
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
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