RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
29
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
8.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2171
1344
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link